买卖IC网 >> 中文资料第48499页 >> Y4044759K000A1W(Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用)

Y4044759K000A1W中文资料

  • 电子元器件
  • 中文功能描述
  • 生产厂商
  • 品牌LOGO
  • 页数
  • 文件大小
  • PDF文件
  • Y4044759K000A1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759K000B0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759K000B1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759K000C0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759K000C1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759K000D0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759K000D1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759K000F0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759K000F1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759K000J0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759K000J1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759K000Q0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759K000Q1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759K000T0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759K000T1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759R000A0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759R000A1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759R000B0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759R000B1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759R000C0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759R000C1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759R000D0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759R000D1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759R000F0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759R000F1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759R000J0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759R000J1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759R000Q0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759R000Q1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759R000T0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4044759R000T1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4045249K000A0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4045249K000A1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4045249K000B0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4045249K000B1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4045249K000C0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4045249K000C1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4045249K000D0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4045249K000D1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4045249K000F0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4045249K000F1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4045249K000J0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4045249K000J1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4045249K000Q0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4045249K000Q1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4045249K000T0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4045249K000T1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4045249R000A0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4045249R000A1W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes
  • Y4045249R000B0W
  • Bulk Metal箔技术分立芯片与2 ppm的TCR/°C和公差为0.005％，在混合电路使用
  • VISHAY
    Vishay Siliconix
  • VISHAY
  • 7 Pages
  • 174.19 Kbytes

Y4044759K000A1W参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • Y4044759K000A1W
  • 制造商：VISHAY；制造商全称：Vishay Siliconix；功能描述：Bulk Metal? Foil Technology Discrete Chips with TCR of 2 ppm/°C and Tolerance to 0.005 % for use in Hybrid Circuits；