买卖IC网 >> 中文资料第48793页 >> ZXMD63C02XTA(20V双N沟道和P沟道增强型MOSFET)

ZXMD63C02XTA中文资料

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ZXMD63C02XTA参数资料

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  • ZXMD63C02XTA
  • 功能描述：MOSFET 20V N&P Chnl HDMOS；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

ZXMD63C02XTA供应商

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  • 陈
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