买卖IC网 >> 中文资料第48794页 >> ZXMN10A11GTA(100V N沟道增强型MOSFET)

ZXMN10A11GTA中文资料

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ZXMN10A11GTA参数资料

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  • ZXMN10A11GTA
  • 功能描述：MOSFET 100V N-Chnl UMOS；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

ZXMN10A11GTA供应商

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  • 深圳市高创鑫电子科技有限公司
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  • ZTX
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  • ZXMN10A11GTA
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
    0755-83350789
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  • SOT-223
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  • ZXMN10A11GTA
  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
  • 陈小姐
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  • diodes
  • dc11
  • 900
  • ZXMN10A11GTA
  • 深圳市光格集成电路有限公司
  • 朱生
    0755-83213829
  • Diodes
  • 原厂封装
  • 15+
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