买卖IC网 >> 中文资料第48796页 >> ZXMN3A04DN8TA(双30V N沟道增强型MOSFET)

ZXMN3A04DN8TA中文资料

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ZXMN3A04DN8TA参数资料

  • 电子元器件
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  • ZXMN3A04DN8TA
  • 功能描述:MOSFET Dl 30V N-Chnl UMOS;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

ZXMN3A04DN8TA供应商

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  • ZXMN3A04DN8TA
  • 深圳市晶美隆科技有限公司
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  • 深圳市英科美电子有限公司
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  • 深圳市湘达电子有限公司
  • 朱平
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  • ZXMN3A04DN8TA
  • 深圳市柏新电子科技有限公司
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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司
  • 柯盈琪/19925429803
    0755-83061789
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  • 深圳市和诺泰科技有限公司
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    0755-82810280
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  • ZXMN3A04DN8TA
  • 深圳市悦兴晨电子科技有限公司
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    0755-8281200482811605
  • VISHAY
  • 原厂封装
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  • ZXMN3A04DN8TA
  • 深圳市水星电子有限公司
  • 李先生
    0755-82774631
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  • SOP-8
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  • ZXMN3A04DN8TA
  • 深圳市中联芯电子有限公司
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  • ZXMN3A04DN8TA
  • 深圳市永德川科技有限公司
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  • SOP8
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  • 8000