ZXTS1000E6TC

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ZXTS1000E6TC参数资料

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• 参数资料

• ZXTS1000E6TC
• 功能描述：两极晶体管 - BJT 20V PNP & Schottky；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；配置：；晶体管极性：PNP；集电极—基极电压 VCBO：；集电极—发射极最大电压 VCEO：- 40 V；发射极 - 基极电压 VEBO：- 6 V；集电极—射极饱和电压：；最大直流电集电极电流：；增益带宽产品fT：；直流集电极/Base Gain hfe Min：100 A；最大工作温度：；安装风格：SMD/SMT；封装 / 箱体：PowerFLAT 2 x 2；

ZXTS1000E6TC供应商

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• 批号
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• ZXTS1000E6TC
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Diodes Incorporated
• SOT-23-6
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• 3000

• ZXTS1000E6TC
• 深圳市荣智辉科技销售二部
• 张先生
  0755-89378176
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• 深圳市海天高电子有限公司
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