供应瓷片电容，独石电容，瓷介电容，涤纶电容

厂家直销独石电容，货真价实，欢迎咨询！[产品介绍]：独石电容容量:1PF-220UF 材料:NPO/X7R/Y5V 误差:J/K/M 耐压:6.3V-3000V 包装方式:袋装或编带温度特性:C0G(NPO),X7R,Y5V 精度误差:在±5~±20%不等. 片容的耐压:16~100VDC 产品优点:a、小型化尺寸; b、电容范围宽,温度特性宽,耐压范围宽; c、高可靠性; d、标准的工业化尺寸; e、适用于表面封装工艺的盘带包装; f、有四种包装形式. 独石电容型号:CT4-0805B104K500NT 容量:0.1UF 材料:X7R 误差:+-10% 耐压:50V 包装方式:编带盒装 独石电容型号:CT4-0805B105K500NT 容量:1UF 材料:X7R 误差:+-10% 耐压:50V 

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产品参数：

瓷介电容
瓷介电容可分为低压低功率和高压高功率，在低压低功率中又可分为I型（CC型）和II型（CT型）。
I型（CC型）特点是体积小， 损耗低，电容对频率，温度稳定性都较高，常用于高频电路。
  II型（CT型）特点是体积小，损耗大，电容对温度频率，稳定性都较差，常用于低频电路。
1. 高频圆片瓷介电容（CC）:电容量：1--6800p;额定电压：63--500V;主要特点：高频损耗小，稳定性好.应用：高频电路。低频瓷介电容（CT）。电容量：10p—4.7u。额定电压：50V--100V。主要特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差。应用：要求不高的低频电路
CC1型1类瓷介电容器。 用途：CCI型1类瓷介电容器Q值高，容量稳定。用于谐振回路和需要补偿温度效应的电路中。63-500V。
CS1型3类瓷介电容器。用途：作超高频、宽频带旁路电容器及耦合电容器或使用于对损耗角正切、绝缘电阻要求不高的电路中。25V-50V
CT71型2类交流瓷介电容器。用途：各类电子、电器设备，用于天线耦合，开关电路及跨接电源线等。250Vac
CT81型2类高压瓷介电容器。用途：适用于1~3kV直流高压旁路和耦合电路。开关电源的缓冲电路。