屏蔽电源变压器
单相变压器
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2.2功率MOSFET的工作原理
截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。
导电:在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开,而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面
当UGS大于UT(开启电压或阈值电压)时,栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度,使P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电。
OV7950-C48N |
OV7950-F48V |
OV7955-E53V-PD |
OV7959-C48A (CLCC) |
OV7960-C48P |
OV7960-E62W |
OV7962-E62A |
OV7962-E62Y |
OV8610 |
OV8810-A67A |
OV9121 |
OV9630 |
OV9653-V28A |
OV9655-V28A |
OV9660 |
OV9665 |
OV9710-HDDV |
OV9712-V28A |
OV9715-V28A |
OV9715-F48Y |
OV9726-A40A |
OV9740-A46A |
OV9810-A70A |
OV14825-A16A |
OV4680 |
OVP2200 |
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漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性,ID较大时,ID与UGS的关系近似线性,曲线的斜率定义为跨导Gfs
MOSFET的漏极伏安特性(输出特性):截止区(对应于GTR的截止区);饱和区(对应于GTR的放大区);非饱和区(对应于GTR的饱和区)。电力MOSFET工作在开关状态,即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管,漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利。
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