GD25Q16EEIGR
GIGADEVICE
2236
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GD25Q16EEIGR | C04-存储器 | GIGADEVICE | * | 2236 | 3,000 |
PTS810SJG250SMTRLFS | C14-开关 | C&K | * | 2022/12/11 | 2,892 |
TMK325ABJ476MM-P | C23-电容器 | TAIYO YUDEN | * | 2303 | 15,000 |
NE555DR | C02-集成电路(IC) | TI | 8-SOIC | 12 | |
CRCW060333R0FKEA | C22-电阻器 | VISHAY | * | 20,000 | |
RB521S30T1G | C06-二极管 | ON SEMICONDUCTOR | SOD-523 | 2245 | 60,000 |
LM358DR2G | C02-集成电路(IC) | ON SEMICONDUCTOR | 8-SOIC | 2116 | 2,425 |
19-217/BHC-ZL1M2RY/3T | C06-二极管 | EVERLIGHT | * | 210720 | 2,932 |
2N7002DW-7-F | C08-场效应管 | DIODES INCORPORATED | SOT-363 | 2226 | 30,000 |
2N7002BK,215 | C08-场效应管 | NEXPERIA | * | 2245 | 9,000 |
FN2090A-6-06 | C16-滤波器 | SCHAFFNER | * | 2222 | 200 |
FN2090A-6-06 | C16-滤波器 | SCHAFFNER | * | 2222 | 200 |
IP101GR | C02-集成电路(IC) | IC+ | * | 4 |
存储器类型 | 非易失 | |
存储器格式 | ||
技术 | FLASH - NOR | |
存储容量 | ||
存储器组织 | 2M x 8 | |
存储器接口 | SPI - 四 I/O | |
时钟频率 | 133 MHz | |
写周期时间 - 字,页 | 70μs,2ms | |
访问时间 | 7 ns | |
电压 - 供电 | 2.7V ~ 3.6V | |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | |
安装类型 | ||
封装/外壳 | ||
供应商器件封装 | 8-USON(2x3) |
电话:17862669251
联系人:洪先生 (先生)
QQ:
邮箱:hongby@buyelec.net
地址:北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
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