FET 类型 | P 通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 50 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 130mA(Ta) | |
驱动电压( Rds On, Rds On) | 5V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻() | 10 欧姆 @ 100mA,5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)() | 2V @ 250μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)() | 2.2 nC @ 10 V | |
Vgs() | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)() | 36 pF @ 5 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散() | 225mW(Ta) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
等级 | 汽车级 | |
资质 | AEC-Q101 | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) | |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
基本产品编号 | BVSS84 |
电话:17862669251
联系人:洪宝宇 (先生)
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