FET 类型 | P 通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 25 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 460mA(Ta) | |
驱动电压(Rds On,Rds On) | 2.7V,4.5V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻() | 1.1 欧姆 @ 500mA,4.5V | |
不同 Id 时 Vgs(th)() | 1.5V @ 250μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)() | 1.5 nC @ 4.5 V | |
Vgs() | ±8V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)() | 63 pF @ 10 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散() | 350mW(Ta) | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | SOT-23-3 | |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | |
基本产品编号 | FDV304 |
电话:17862669251
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