描述:
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8-SOIC系列:PowerTrench?
FET 类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):14.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):7.8 毫欧 @ 14.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值):124nC @ 10V
不同 Vds 时的输入
电容(Ciss)(最大值):
4700pF @ 15V功率耗散(最大值):2.5W(Ta
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
全新原装 正品现货
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