HY57V561620
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这是一个268435456bit hy57v561620t CMOS同步DRAM,非常适合于主存储器applICationswhich需要大量的存储密度和高带宽。hy57v561620组织的4家银行的4194304x16。hy57v561620t是完全同步操作提供提供一个参考时钟的上升边缘。所有的输入和输出都与时钟输入的上升沿同步。数据路径内部流水线实现高带宽。所有输入和输出电压的LVTTL水平与兼容。可编程选项包括管道长度(CAS延迟为2或3),在连续读取或writecycles开始由单一的控制命令(突发长度为1,2,4,8或整页),和突发countsequence(顺序或交错)。突发的读或写周期的进展可以终止突发terminatecommand或可以被打断,并更换一个新的突发读取或写入命令任何周期。(这pipelineddesign不受` 2n `规则
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