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YK9Q512ERH是一款高性能、异步、抗辐射512K×8bit静态随机存取存储器,容量达到4Mbit,采用单电源供电。其读写操作由三个控制信号完成:片选信号、读/写使能信号和输出使能信号。当片选有效为低电平时,8位I/O上的数据被写入存储器件﹔当片选有效为高电平且输出使能?为低电平时,存储器中的数据被读出,并被输出到8位I/0端口。
◎ 兼容型号:Aero?ex公司UT9Q512E/UT8Q512E
◎ 存储容量:512K×8bit
◎ 工作电压:4.5V~5.5V或3.0V~3.6V
◎ 读写时间:20ns
◎ 接口电平:TTL电平
◎ 抗辐射指标: 总剂量:100K Rad(Si)
单粒子闩锁阈值:75MeV·cm2/mg
单粒子翻转错误率≤1×10-10错误/位·天
◎ 封装形式:CFP36
◎ 外形尺寸:23.37mm×21.2mm(标准成型尺寸)
产品型号 | 类型 | 容量 (bit) | 读取时间 (ns) | 工作电压 (V) | 输入电平 | 封装形式 | 兼容型号 |
YK9Q512ERH | SRAM | 512K×8 | 20 | 单电源5或3.3 | TTL | CFP36 | UT8Q512E UT9Q512E |
电话:010-62104931/62104891/62104578/62106431/62104791
联系人:刘先生 (先生)
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