IRLML6401TRPBF 场效应管 MOSFET P沟道 12V/4.3A

产品信息

标准包装 ? 3,000
类别
包装 ? 带卷 (TR) ? 
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时)4.3A (Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值)50 毫欧 @ 4.3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)950mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)15nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)830pF @ 10V
功率 - 最大值1.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装Micro3?/SOT-23

深圳市瑞意全电子有限公司

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