AOT1100L
AOS美国万代
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TO-220
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制造商: | STMicroelectronics | |
产品种类: | MOSFET | |
RoHS: | ![]() | |
技术: | Si | |
安装风格: | Through Hole | |
封装 / 箱体: | TO-220-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | N-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 100 V | |
Id-连续漏极电流: | 80 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 10 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | 20 V | |
Vgs th-栅源极阈值电压: | 3.5 V | |
Qg-栅极电荷: | 45 nC | |
最大工作温度: | + 175 C | |
封装: | Tube | |
商标: | STMicroelectronics | |
配置: | Single | |
下降时间: | 13 ns | |
最小工作温度: | - 55 C | |
Pd-功率耗散: | 110 W | |
上升时间: | 32 ns | |
系列: | N-channel STripFET | |
工厂包装数量: | 50 | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
典型关闭延迟时间: | 36 ns | |
典型接通延迟时间: | 19 ns | |
单位重量: | 330 mg |
电话:13760412969
联系人:黄小姐 (女士)
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