存储器 CY62167EV18LL-55BVXI SRAM

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产品信息

CY62167EV18LL-55BVXI介绍：

描述 IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

制造商标准提前期 11 周

详细描述 SRAM - 异步存储器 IC 16Mb （1M x 16）并联 55ns 48-VFBGA（6x8）

类别集成电路（IC）

存储器

制造商 Cypress Semiconductor Corp

系列 MoBL?

包装 ? 托盘 ?

零件状态在售

存储器类型易失

存储器格式 SRAM

技术 SRAM - 异步

存储容量 16Mb （1M x 16）

写周期时间 - 字，页 55ns

访问时间 55ns

存储器接口并联

电压 - 电源 1.65 V ~ 2.25 V

工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）

安装类型表面贴装

封装/外壳 48-VFBGA

供应商器件封装 48-VFBGA（6x8）

基本零件编号 CY62167

你可能遇到的一种类型的存储芯片问题是灾难性的失效。这通常是在加工好之后芯片受到物理或者是电子损伤造成的。灾难性失效是少见的，通常影响芯片中的大部分。因为一大片区域受到影响，所以灾难性的失效当然可以被合适的测试算法检测到。

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