晶体管 RSD220N06TL MOSFET

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产品信息

RSD220N06TL介绍：

描述 MOSFET N-CH 60V 22A SOT428

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述表面贴装 N 沟道 60V 22A（Ta） 20W（Ta） CPT3

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Rohm SemIConductor

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态不適用於新設計

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 60V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 22A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） -

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -

Vgs（最大值） ±20V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 20W（Ta）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 CPT3

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

沟道的极性与其漏极（drain）与源极相同，假设漏极和源极是n型，那么沟道也会是n型。沟道形成后，金氧半场效晶体管即可让电流通过，而依据施于栅极的电压值不同，可由金氧半场效晶体管的沟道流过的电流大小亦会受其控制而改变。

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