晶体管 STF15N60M2-EP FET

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产品信息

STF15N60M2-EP介绍：

描述 MOSFET N-CH 600V 11A EP TO220FP

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 42 周

详细描述通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 25W（Tc） TO-220FP

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 STMICroelectronics

系列 MDmesh? M2-EP

包装 ? 管件 ?

零件状态在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 378 毫欧 @ 5.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 17nC @ 10V

Vgs（最大值） ±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 590pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 25W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 TO-220FP

封装/外壳 TO-220-3 整包

场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管;而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管.

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