晶体管 IXTA42N25P FET

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产品信息

IXTA42N25P介绍：

描述 MOSFET N-CH 250V 42A TO-263

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 24 周

详细描述表面贴装 N 沟道 250V 42A（Tc） 300W（Tc） TO-263（IXTA）

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 IXYS

系列 PolarHT??

包装 ? 管件 ?

零件状态在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 250V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 84 毫欧 @ 500mA，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 70nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2300pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 300W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 TO-263（IXTA）

封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

在模拟电路中，晶体管用于放大器、音频放大器、射频放大器、稳压电路；在计算机电源中，主要用于开关电源。

晶体管也应用于数字电路，主要功能是当成电子开关。数字电路包括逻辑门、随机存取内存（RAM）和微处理器。

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