晶体管 STP3N80K5 MOSFET - 单

5000多家会员为您找货报价，SO EASY！

相关产品

产品信息

STP3N80K5介绍：

描述 MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 42 周

详细描述通孔 N 沟道 800V 2.5A（Tc） 60W（Tc） TO-220

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 STMICroelectronics

系列 SuperMESH5??

包装 ? 管件 ?

零件状态在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 800V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.5A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.5 欧姆 @ 1A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 9.5nC @ 10V

Vgs（最大值） 30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 130pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 60W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型通孔

供应商器件封装 TO-220

封装/外壳 TO-220-3

金属氧化物半导体场效应管依照其“沟道”极性的不同，可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常被称为N型金氧半场效晶体管（NMOSFET）与P型金氧半场效晶体管（PMOSFET）。

安富微（深圳）商贸有限公司介绍，公司拥有一支“讲诚信,有耐心，重责任，细管理，强服务，善沟通，静精业务，富创意” 的销售团队.快速变化的市场环境中，我们始终秉承着“服务于客户，让利于客户”的宗旨，现已发展成为国内知名，国外驰名的IC混合型电子元器件代理商。