晶体管 RN1902 预偏置

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产品信息

RN1902介绍：

描述 TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

详细描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6

类别分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列 - 预偏置

制造商 Toshiba SemIConductor and Storage

系列 -

包装带卷（TR）

零件状态在售

晶体管类型 2 个 NPN 预偏压式（双）

电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA

电压 - 集射极击穿（最大值） 50V

电阻器 - 基底（R1） 10 千欧

电阻器 - 发射极基底（R2） 1 千欧

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10mA，5V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA

电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）

频率 - 跃迁 250MHz

功率 - 最大值 100mW

安装类型表面贴装

封装/外壳 SOT-563，SOT-666

供应商器件封装 ES6

晶体管的低成本，灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜，更有效地仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。

东芝(Toshiba)，是日本最大的半导体制造商，也是第二大综合电机制造商，隶属于三井集团。公司创立于1875年7月，原名东京芝浦电气株式会社，1939年由东京电气株式会社和芝浦制作所合并而成，业务领域包括数码产品、电子元器件、社会基础设备、家电等。

安富微（深圳）商贸有限公司介绍，公司拥有一支“讲诚信,有耐心，重责任，细管理，强服务，善沟通，静精业务，富创意” 的销售团队.快速变化的市场环境中，我们始终秉承着“服务于客户，让利于客户”的宗旨，现已发展成为国内知名，国外驰名的IC混合型电子元器件代理商。