STW11NM80
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TO-247
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产品种类: | MOSFET | |
制造商: | STMicroelectronics | |
RoHS: | ![]() | |
技术: | Si | |
安装风格: | Through Hole | |
封装 / 箱体: | TO-247-3 | |
通道数量: | 1 Channel | |
晶体管极性: | N-Channel | |
Vds-漏源极击穿电压: | 800 V | |
Id-连续漏极电流: | 11 A | |
Rds On-漏源导通电阻: | 400 mOhms | |
Vgs - 栅极-源极电压: | 30 V | |
最小工作温度: | - 65 C | |
最大工作温度: | + 150 C | |
封装: | Tube | |
通道模式: | Enhancement | |
商标: | STMicroelectronics | |
配置: | Single | |
下降时间: | 15 ns | |
正向跨导 - 最小值: | 8 S | |
高度: | 20.15 mm | |
长度: | 15.75 mm | |
Pd-功率耗散: | 150 W | |
上升时间: | 17 ns | |
系列: | N-channel MDmesh | |
工厂包装数量: | 600 | |
晶体管类型: | 1 N-Channel | |
类型: | MOSFET | |
典型关闭延迟时间: | 46 ns | |
典型接通延迟时间: | 22 ns | |
宽度: | 5.15 mm | |
单位重量: | 38 g |
电话:0755-23140719/15323480719
联系人:李先生 李小姐(原装正品) (先生)
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