SI4056DY-T1-GE3 全新原装热卖

品牌：
Vishay
型号：
SI4056DY-T1-GE3

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产品信息

类别分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay SilIConix

系列 TrenchFET?

包装 ? 剪切带（CT） ?

零件状态在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.1A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 23 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值） 29.5nC @ 10V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 900pF @ 50V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），5.7W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装 8-SO

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

公司介绍

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