1N5819-E3/54二极管肖特基 40V 1A 深圳市鸿裕兴电子1N5819-E3/54

产品信息

1278793-2
1278795-1
1SMB5932BT3G
1SMB5927BT3G
1SMB5920BT3G
1SMB5919BT3G
50L05C
16MHZ/10PPM/9PF
16MHZ/20PF/20PPM
16M/HC-49S/9PF/20PPM
16M/HC-49SMD/9PF/20PPM
172028-002/SGRK8BLWBG01/0
56220
1893
1893A07X
1826-0756
1822-0547/A6614SEDTR-XE/M
1822-0748
1822-0748/MG73P028-063
130483/M93-4549/AM332516/9
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48155/28050
15218
538664
549
1/4W/510K
1/4W/5K1
1/4W/5.1R
1/4W/51R
5R1/0.5W/1%
1008-G60N-01R
100FYD
40307/1
40307/1R2A
580637-ZF187
11229-14
16SOICW
4120
12M/3225/20PF/20PPM
12M/HC-49S/12PF/20PPM
40-0607-002/40-06073
40-0607-001/M40-06072
537
1820-1747
1/4W//5K6
1/4W/1K5
1SMA4733A
1N5819
1N5819/SS14
1N5819/SL
1N5817
1N5822
1N5819SS14
1N5820
1N5825
4410A
150X
1818-8342
1417G4A
1/4W/82K



类别
分立半导体产品
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
零件状态
在售
二极管类型
肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
40 V
电流 - 平均整流 (Io)
1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
600 mV @ 1 A
速度
快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
1 mA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容
110pF @ 4V,1MHz
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AL,DO-41,轴向
供应商器件封装
DO-204AL(DO-41)
工作温度 - 结
-65°C ~ 125°C
基本产品编号
1N5819


 
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公司介绍

公司经营元器件电子,原装IC 原装芯片 可开发票。具备充分的电子行业经验。
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