STGWA35HF60WDI全国供应商 STGWA35HF60WDI资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

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价格
说明
操作

STGWA35HF60WDI
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
STM
原厂原装
1725+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

STGWA35HF60WDI
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
TO-247-3
18+
-
IGBT 600V 70A 260W T...

STGWA35HF60WDI
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品进口现货电话010-62104...

STGWA35HF60WDI
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：张小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-247-3L
25+
-
国产品牌，替代进口

STGWA35HF60WDI
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
STMICROEL
1521+
-
全新原装现货

STGWA35HF60WDI
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3526
ST
TO-247-3
14+
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

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1

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功能描述
IGBT 晶体管 35 A 600V ultra fast IGBT
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
2.3 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作温度
封装 / 箱体
TO-247
封装
Tube

STGWA35HF60WDI 技术参数

STGWA30M65DF2 功能描述:IGBT 650V 30A TO247-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:650V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:60A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2V @ 15V，30A 功率 - 最大值:258W 开关能量:300μJ（开），960μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31.6ns/115ns 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:140ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 长引线标准包装:30 STGWA25S120DF3 功能描述:IGBT 1200V 25A TO247-3L 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 功率 - 最大值:375W 开关能量:830μJ（开），2.37mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:80nC 25°C 时 Td（开/关）值:31ns/147ns 测试条件:600V，25A，15欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:265ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STGWA25M120DF3 功能描述:IGBT 1200V 50A 375W TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.3V @ 15V，25A 功率 - 最大值:375W 开关能量:850μJ（开），1.3mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:85nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/150ns 测试条件:600V，25A，15欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:265ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 长引线标准包装:30 STGWA25H120F2 功能描述:IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.6V @ 15V，25A 功率 - 最大值:375W 开关能量:600μJ（开），700μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STGWA25H120DF2 功能描述:IGBT HB 1200V 25A HS TO247-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:50A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):100A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.6V @ 15V，25A 功率 - 最大值:375W 开关能量:600μJ（开），700μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:100nC 25°C 时 Td（开/关）值:29ns/130ns 测试条件:600V，25A，10 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:303ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STGWA60H65DFB STGWA60NC60WDR STGWA60V60DF STGWA75M65DF2 STGWA80H65DFB STGWA80H65FB STGWF30NC60S STGWF40V60DF STGWS38IH130D STGWT15H60F STGWT20H60DF STGWT20H65FB STGWT20IH125DF STGWT20V60DF STGWT20V60F STGWT28IH125DF STGWT30H60DFB STGWT30H65FB

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