STL4P2UH7全国供应商 STL4P2UH7资料|PDF Datasheet|价格【ST 意法半导体】

配单专家企业名单

型号
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数量
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封装
批号
价格
说明
操作

STL4P2UH7
深圳市海天鸿电子科技有限公司
深圳市海天鸿电子科技有限公司
联系人：彭小姐、刘先生、李小姐
电话：0755-82552857-80913528851884（周日专线）
地址：深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号
资质：营业执照
7500
ST
原厂原装
1716+
-
只做原装一手货源，代理商分销库存

STL4P2UH7
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
569888
ST意法
N/A
21+
-
原装正品现货，支持BOM配单！

STL4P2UH7
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
百分百原装正品假一赔十电话010-62...

STL4P2UH7
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
100000
ST Microelectronics
N/A
15+
-
原装正品价格优势！

STL4P2UH7
深圳市众芯微电子有限公司
深圳市众芯微电子有限公司
联系人：陈小姐
电话：0755-8320801015711992892
地址：都会轩3607
资质：营业执照
86900
STMicroelectronics
PowerFlat?（2x2）
18+
-
MOSFET P-CH 20V 4A P...

STL4P2UH7
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
30000
STMICROEL
CUT TAPE
1521+
-
全新原装现货

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1

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功能描述
MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2
制造商
stmicroelectronics
系列
DeepGATE?，STripFET? VII
包装
剪切带（CT）
零件状态
有效
FET 类型
MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能
逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）
20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
4A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）
100 毫欧 @ 2A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）
4.8nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）
510pF @ 10V
功率 - 最大值
2.4W
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-PowerWDFN
供应商器件封装
PowerFlat?（2x2）
标准包装
1

STL4P2UH7 技术参数

STL4N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:10.5nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:175pF @ 100V 功率 - 最大值:38W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL4N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 4.5A 8PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.5A（Ta），18A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 2.25A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:7.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:408pF @ 50V 功率 - 最大值:2.9W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（3.3x3.3）标准包装:1 STL4LN80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:4nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:110pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:38W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.2A，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线标准包装:1 STL45N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.8A（Ta），22.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:86 毫欧 @ 14.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:82nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3470pF @ 100V 功率 - 最大值:2.8W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFLAT?（8x8）标准包装:1 STL42P6LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 60V 42A 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:42A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:26 毫欧 @ 4.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3780pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerSMD，扁平引线供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL58N3LLH5 STL5N80K5 STL-600-3-01 STL-600-8-01 STL60N10F7 STL60N32N3LL STL60N3LLH5 STL60NH3LL STL60P4LLF6 STL-6-250-3-01 STL-6-250-8-01 STL62P3LLH6 STL-6-350-3-01 STL-6-350-8-01 STL-6-450-3-01 STL-6-450-8-01 STL65DN3LLH5 STL65N3LLH5