您好,欢迎来到买卖IC网 登录 | 免费注册
您现在的位置:买卖IC网 > S字母型号搜索 > S字母第6161页 >

STW26N60M2

配单专家企业名单
  • 型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装
  • 批号
  • 价格
  • 说明
  • 操作
  • STW26N60M2
    STW26N60M2

    STW26N60M2

    现货
  • 集好芯城
    集好芯城

    联系人:陈先生 13360533550

    电话:0755-83289799

    地址:深圳市福田区深南中路汉国城市商业中心55层 香港新界葵兴葵康大厦6楼

    资质:营业执照

  • 41042

  • ST

  • TO-247

  • 22+

  • -
  • 原装原厂现货

  • STW26N60M2
    STW26N60M2

    STW26N60M2

  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-247

  • 最新批号

  • -
  • 一级代理.原装特价现货!

  • STW26N60M2
    STW26N60M2

    STW26N60M2

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 16800

  • ST/意法

  • TO247

  • 22+

  • -
  • 每一片都来自原厂,正品保证

  • STW26N60M2
    STW26N60M2

    STW26N60M2

  • 科创特电子(香港)有限公司
    科创特电子(香港)有限公司

    联系人:

    电话:0755-83014603

    地址:深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907

  • 450

  • ST MICROELECTRONICS

  • 价格优势

  • 2325

  • -
  • 全新原装渠道现货

  • 1/1页 40条/页 共3条 
  • 1
STW26N60M2 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
STW26N60M2 技术参数
  • STW25NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 10.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2400pF @ 50V 功率 - 最大值:160W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW25NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:带卷(TR) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):600V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):160 毫欧 @ 10.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2400pF @ 50V 功率 - 最大值:160W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:1 STW25NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 22A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):500V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):140 毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):84nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):2565pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247-3 标准包装:30 STW25N95K3 功能描述:MOSFET N-CH 950V 22A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包装:管件 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):950V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):360 毫欧 @ 11A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):105nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3680pF @ 100V 功率 - 最大值:400W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW25N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 19.5A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):800V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):260 毫欧 @ 19.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):40nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1600pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW28NK60Z STW28NM50N STW28NM60ND STW29NK50Z STW29NK50ZD STW3040 STW30N20 STW30N65M5 STW30N80K5 STW30NF20 STW30NM50N STW30NM60D STW30NM60N STW30NM60ND STW31N65M5 STW32N65M5 STW32NM50N STW33N60DM2
配单专家

在采购STW26N60M2进货过程中,您使用搜索有什么问题和建议?点此反馈

友情提醒:为规避购买STW26N60M2产品风险,建议您在购买STW26N60M2相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。

免责声明:以上所展示的STW26N60M2信息由会员自行提供,STW26N60M2内容的真实性、准确性和合法性由发布会员负责。买卖IC网不承担任何责任。

买卖IC网 (www.mmic.net.cn) 版权所有©2006-2019
深圳市硕赢互动信息技术有限公司 | 粤公网安备 44030402000118号 | 粤ICP备14064281号