配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

STL80N3LLH6
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
3526
ST
PowerFlat?（5x6）
14+
-
原装正品，现货库存，400-800-03...

STL80N10WF7
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：雷精云
电话：18988598856
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3997
ST
DFN5X6
2210+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

STL80CN3LLH6
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
深圳市华雄半导体（集团）有限公司
联系人：苗凤军
电话：17623594308
地址：深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层
资质：营业执照
3329
ST
QFN
2208+
-
十年专营，供应原装正品！热卖现货！

STL8NH3LL
深圳市轩盛达电子有限公司
深圳市轩盛达电子有限公司
联系人：陈
电话：1588932848313924772445
地址：深圳市福田区华强北街道深南中路3006号佳和华强大厦五楼5C103
10000
-
原厂原装现货，代找紧缺料

STL8N65M2
深圳市安博威科技有限公司
深圳市安博威科技有限公司
联系人：吴
电话：18320850923
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场1713室
3000
STM
PowerFLAT 5x6 HV
18+
-
只做原装，型号齐全，价格优惠。

STL8NH3LL
甄芯网
甄芯网
联系人：柯
电话：0755-836658130755-83465652
地址：深南中路佳和大厦B座907
515
ST
SON-8
0830+
-
█100%现货█可开17%增票█可申请免...

STL8N10F7
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
3000
STM
ORIGONAL
16+
-
0.63248 USD,szpoweri...

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制造商
Cooper Crouse-Hinds
功能描述
制造商
CROUSE-HINDS/COOPER
功能描述

STL8 技术参数

STL7NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5.8A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5.8A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:900 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:363pF @ 50V 功率 - 最大值:68W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:14-PowerFLAT? 供应商器件封装:14-PowerFLAT?（5x5）标准包装:1 STL7N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.6A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:13.4nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:360pF @ 100V 功率 - 最大值:42W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL7N6LF3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A PWRFLAT8 制造商:stmicroelectronics 系列:汽车级，AEC-Q101，STripFET? F3 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:43 毫欧 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.7nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:432pF @ 25V 功率 - 最大值:52W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（5x6）标准包装:1 STL7N6F7 功能描述:N-CHANNEL 60 V, 0.019 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:25 毫欧 @ 3.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:450pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-PowerWDFN 供应商器件封装:PowerFlat?（2x2）标准包装:1 STL7N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包装:剪切带（CT）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.05 欧姆 @ 2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:8.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:271pF @ 100V 功率 - 最大值:67W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-PowerVDFN 供应商器件封装:PowerFLAT?（5x5）标准包装:1 STL-8-350-16-01 STL-8-350-20-01 STL-8-350-3-01 STL-8-350-8-01 STL-8-450-12-01 STL-8-450-16-01 STL-8-450-20-01 STL-8-450-2-01 STL-8-450-8-01 STL85N6F3 STL-8-600-12-01 STL-8-600-16-01 STL-8-600-20-01 STL-8-600-3-01 STL-8-600-8-01 STL86N3LLH6AG STL-8-750-12-01 STL-8-750-16-01