STW48NM60N

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功能描述
MOSFET N-Ch 600V 0.055 Ohm 39A Mdmesh II
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

STW48NM60N 技术参数

STW48N60M2-4 功能描述:MOSFET N-CH 600V 42A TO247-4 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:42A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 21A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3060pF @ 100V 功率 - 最大值:300W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-4 供应商器件封装:TO-247-4L 标准包装:30 STW48N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 42A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:42A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:70 毫欧 @ 21A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3060pF @ 100V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW48N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 40A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:79 毫欧 @ 20A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3250pF @ 100V 功率 - 最大值:300W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW47NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 35A TO-247 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:35A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:88 毫欧 @ 17.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:120nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:4200pF @ 50V 功率 - 最大值:255W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW46NF30 功能描述:MOSFET N-CH 300V 42A TO247 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:300V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:42A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:75 毫欧 @ 17A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:90nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:3200pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作温度:175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:30 STW55NM60ND STW5630/JDR18BDR STW56N60DM2 STW56N60M2 STW56N60M2-4 STW56N65DM2 STW56N65M2 STW56N65M2-4 STW56NM60N STW57N65M5 STW57N65M5-4 STW58N60DM2AG STW58N65DM2AG STW5NK100Z STW60N65M5 STW60NE10 STW60NM50N STW62N65M5