1N4150W-V-GS08

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说明
操作

1N4150W-V-GS08
深圳市引芯科技发展有限公司
深圳市引芯科技发展有限公司
联系人：销售部经理：林小姐
电话：0755-8334178913421397528
地址：深圳市福田区福华路世贸广场C座1106/香港办事处:香港大理石
7193
Vishay Semiconductors
标准封装
25+
-
真实的资源竭诚服务您！

1N4150W-V-GS08
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
2536
VISHAY
SOD123
假一赔十！
-
绝对原装现货！！

1N4150W-V-GS08
深圳市硅宇电子有限公司
深圳市硅宇电子有限公司
联系人：唐先生
电话：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田区福虹路世界贸易广场A座1503
资质：营业执照
8000
VISHAY
SOD123
1225+
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原装现货/特价

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功能描述
二极管 - 通用，功率，开关 Vr/50V Io/150mA
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
产品
Switching Diodes
峰值反向电压
600 V
正向连续电流
200 A
最大浪涌电流
800 A
配置
恢复时间
2000 ns
正向电压下降
1.25 V
最大反向漏泄电流
300 uA
最大功率耗散
工作温度范围
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
ISOTOP
封装
Tube

1N4150W-V-GS08 技术参数

1N4150W-HE3-18 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:2.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10,000 1N4150W-HE3-08 功能描述:Diode Standard 50V 200mA Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:2.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4150W-G3-18 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:2.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:10,000 1N4150W-G3-08 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:2.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:3,000 1N4150W-E3-18 功能描述:Diode Standard 50V 200mA Surface Mount SOD-123 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:200mA 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 200mA 速度:小信号 =< 200mA（Io），任意速度反向恢复时间（trr）:4ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:2.5pF @ 0V，1MHz 安装类型:表面贴装封装/外壳:SOD-123 供应商器件封装:SOD-123 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1N4151W-HE3-18 1N4151WS-E3-08 1N4151WS-E3-18 1N4151WS-G3-08 1N4151WS-G3-18 1N4151WS-HE3-08 1N4151WS-HE3-18 1N4152 1N4152_T50A 1N4152_T50R 1N4152TR 1N4153 1N4153_T50R 1N4153-1 1N4153TR 1N4153UR-1 1N4154 1N4154_T50R