1N5271B-TP

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1N5271B-TP
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
原装正品质量保障电话010-62104...

1N5271B-TP
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
5001
MCC
SMC
1836+
-
进口原装

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1

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功能描述
DIODE ZENER 500MW 100V DO-35
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> 单二极管/齐纳
系列
-
标准包装
1
系列
-
电压 - 齐纳（标称）(Vz)
36V
电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
900mV @ 10mA
电流 - 在 Vr 时反向漏电
100nA @ 27V
容差
±5%
功率 - 最大
200mW
阻抗（最大）(Zzt)
70 欧姆
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-70，SOT-323
供应商设备封装
SOT-323
包装
剪切带 (CT)
工作温度
-65°C ~ 150°C
产品目录页面
1585 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
MMBZ5258BWMMBZ5258BWCTMMBZ5258BWCT-NDMMBZ5258BWDICT

1N5271B-TP 技术参数

1N5271BDO35 功能描述:DIODE ZENER 100V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:500 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 1N5271B (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 100V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:500 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 76V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5271A (DO-35) 功能描述:DIODE ZENER 100V 500MW DO35 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:100V 容差:±10% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:500 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 72V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1 1N5271A 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5270BUR-1 功能描述:Zener Diode 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售标准包装:1 1N5273A (DO-35) 1N5273B (DO-35) 1N5273B TR 1N5273BDO35 1N5273B-TP 1N5273BUR-1 1N5274A 1N5274A (DO-35) 1N5274B (DO-35) 1N5274BDO35 1N5274BDO35E3 1N5274B-TP 1N5274BUR-1 1N5275A 1N5275A (DO-35) 1N5275B (DO-35) 1N5275BDO35 1N5275B-TP