1N5400-E3/54

配单专家企业名单

型号
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厂商
封装
批号
价格
说明
操作

1N5400-E3/54
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
全新库存现货电话010-6210493...

1N5400-E3/54
深圳市引芯科技发展有限公司
深圳市引芯科技发展有限公司
联系人：销售部经理：林小姐
电话：0755-8334178913421397528
地址：深圳市福田区福华路世贸广场C座1106/香港办事处:香港大理石
5149
Vishay Semiconductors
标准封装
25+
-
真实的资源竭诚服务您！

1N5400-E3/54
深圳市鹏威尔科技有限公司
深圳市鹏威尔科技有限公司
联系人：胡庆伟
电话：13138879988
地址：深圳市宝安区新安街道翻身路117号富源商贸中心D栋601
2800
VIS
ORIGONAL
16+
-
0.04956 USD,szpoweri...

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功能描述
整流器 3.0 Amp 50 Volt
RoHS
否
制造商
Vishay Semiconductors
产品
Standard Recovery Rectifiers
配置
反向电压
100 V
正向电压下降
恢复时间
1.2 us
正向连续电流
2 A
最大浪涌电流
35 A
反向电流 IR
5 uA
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DO-221AC
封装
Reel

1N5400-E3/54 技术参数

1N5400-E3/51 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:- 包装:散装零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1,500 1N5400-B 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:10μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:50pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:500 1N5400 功能描述:DIODE GEN PURP 50V 3A DO201AD 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:50V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.2V @ 3A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 50V 不同?Vr，F 时的电容:30pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-201AD，轴向供应商器件封装:DO-201AD 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 1N5399-T 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO15 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1.5A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:20pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AC，DO-15，轴向供应商器件封装:DO-15 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:4,000 1N5399S-T 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 1.5A DO41 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:1000V（1kV）电流 - 平均整流（Io）:1.5A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.1V @ 1.5A 速度:标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:- 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 1000V 不同?Vr，F 时的电容:20pF @ 4V，1MHz 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AL，DO-41，轴向供应商器件封装:DO-41 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C 标准包装:5,000 1N5400GP-TP 1N5400G-T 1N5400RL 1N5400RLG 1N5400-T 1N5400TA 1N5400T-G 1N5400-TP 1N5401 1N5401/54 1N5401-B 1N5401-E3/54 1N5401-E3/73 1N5401G 1N5401-G 1N5401G A0G 1N5401G B0G 1N5401G R0G