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2DD2661-13

配单专家企业名单
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  • 2DD2661-13
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    2DD2661-13

  • 深圳市英科美电子有限公司
    深圳市英科美电子有限公司

    联系人:张先生

    电话:0755-23903058

    地址:深圳市福田区振兴路西101号华匀大厦1栋7F

  • 9000

  • DIODES

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  • 每一片都来自原厂,正品保证

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  • 深圳市亿联芯电子科技有限公司
    深圳市亿联芯电子科技有限公司

    联系人:吴经理

    电话:18138401919

    地址:深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31

  • 69880

  • DIODES/美台

  • SOT893L

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  • 2DD2661-13
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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司
    深圳市华芯盛世科技有限公司

    联系人:唐先生

    电话:0755-8322569219129381337(微信同号)

    地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。

  • 8650000

  • DIODES

  • SOT89

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  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室

    资质:营业执照

  • 0

  • 原厂封装

  • 10000

  • 16+/17+

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  • 百分百正品现货 电话010-621049...

  • 2DD2661-13
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    2DD2661-13

  • 深圳市芯驰科技有限公司
    深圳市芯驰科技有限公司

    联系人:丁皓鹏

    电话:1866538497818124166365

    地址:福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331

    资质:营业执照

  • 100000

  • Diodes Incorporated

  • N/A

  • 15+

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    2DD2661-13

  • 深圳市华雄半导体(集团)有限公司
    深圳市华雄半导体(集团)有限公司

    联系人:苗凤军

    电话:17623594308

    地址:深圳龙岗区棕科云端大厦1栋B座15层

    资质:营业执照

  • 3873

  • DIODES/美台

  • SOT89

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  • 十年专营,供应原装正品!热卖现货!

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2DD2661-13 PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • 两极晶体管 - BJT LO VSAT NPN SMT 2.5K
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 配置
  • 晶体管极性
  • PNP
  • 集电极—基极电压 VCBO
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
  • - 40 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
  • - 6 V
  • 集电极—射极饱和电压
  • 最大直流电集电极电流
  • 增益带宽产品fT
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
  • 100 A
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
  • PowerFLAT 2 x 2
2DD2661-13 技术参数
  • 2DD2656-7 功能描述:TRANS NPN 30V 1A SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):350mV @ 25mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):270 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:270MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 2DD2652-7 功能描述:TRANS NPN 12V 1.5A SOT-323 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1.5A 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):200mV @ 25mA,500mA 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):270 @ 200mA,2V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:260MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SC-70,SOT-323 供应商器件封装:SOT-323 标准包装:1 2DD2150R-13 功能描述:TRANS NPN 20V 3A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):3A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):500mV @ 100mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:160MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 2DD2098R-13 功能描述:TRANS NPN 20V 5A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:停产 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):5A 电压 - 集射极击穿(最大值):20V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):1V @ 100mA,4A 电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 500mA,2V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:220MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 2DD1766R-13 功能描述:TRANS NPN 32V 2A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:NPN 电流 - 集电极(Ic)(最大值):2A 电压 - 集射极击穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):800mV @ 200mA,2A 电流 - 集电极截止(最大值):1μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):180 @ 500mA,3V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:220MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-243AA 供应商器件封装:SOT-89-3 标准包装:1 2DDR-100SF0 2DE103J 2DE103K 2DE-19P 2DE-19PA160 2DE19P-A160 2DE19PBR 2DE19PBRP 2DE19P-F0 2DE-19PF115 2DE-19PF171 2DE-19PF172 2DE19P-F173 2DE19P-F173-F0 2DE19P-F225-F0 2DE19PK75 2DE-19PK87 2DE19S
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