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2N3670

配单专家企业名单
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  • 2N3670
    2N3670

    2N3670

  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
    深圳市兴合盛科技发展有限公司

    联系人:销售部经理:马先生

    电话:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石

    资质:营业执照

  • 256

  • Central Semiconductor

  • 标准封装

  • 23+

  • -
  • 真实的资源竭诚服务您!

  • 2N3670
    2N3670

    2N3670

  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
    深圳市毅创辉电子科技有限公司

    联系人:雷春艳

    电话:19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697

    地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

    资质:营业执照

  • 220

  • CENTRAL S

  • 1521+

  • -
  • 全新原装现货

  • 1/1页 40条/页 共10条 
  • 1
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  • 功能描述
  • SCR 16A 400V Scr
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 最大转折电流 IBO
  • 480 A
  • 额定重复关闭状态电压 VDRM
  • 600 V
  • 关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下)
  • 5 uA
  • 开启状态 RMS 电流 (It RMS)
  • 正向电压下降
  • 1.6 V
  • 栅触发电压 (Vgt)
  • 1.3 V
  • 最大栅极峰值反向电压
  • 5 V
  • 栅触发电流 (Igt)
  • 35 mA
  • 保持电流(Ih 最大值)
  • 75 mA
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • TO-220
  • 封装
  • Tube
2N3670 技术参数
  • 2N3663 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 12V 50MA TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装 零件状态:过期 晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿(最大值):12V 频率 - 跃迁:2.1GHz 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):6.5dB @ 60MHz 增益:1.5dB 功率 - 最大值:350mW 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):20 @ 8mA,10V 电流 - 集电极(Ic)(最大值):50mA 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) 供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:2,000 2N3637UB 功能描述:TRANS PNP 175V 1A 3PIN SMD 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装 零件状态:有效 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):175V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:- 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,无引线 供应商器件封装:UB 标准包装:1 2N3637L 功能描述:TRANS PNP 175V 1A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):175V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:1W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-205AA,TO-5-3 金属罐 供应商器件封装:TO-5 标准包装:1 2N3637 功能描述:NPN POWER SILICON TRANSISTORS 制造商:microsemi corporation 系列:* 零件状态:在售 标准包装:1 2N3636UB 功能描述:TRANS PNP 175V 1A 制造商:microsemi ire division 系列:- 包装:散装 零件状态:在售 晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):1A 电压 - 集射极击穿(最大值):175V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):600mV @ 5mA,50mA 电流 - 集电极截止(最大值):10μA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):50 @ 50mA,10V 功率 - 最大值:1.5W 频率 - 跃迁:- 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:3-SMD,无引线 供应商器件封装:3-SMD 标准包装:1 2N3704_D26Z 2N3704_D27Z 2N3704_D74Z 2N3704_D75Z 2N3707 2N3708 2N3711 2N3715 2N3716 2N3724 2N3724L 2N3724UB 2N3725 2N3725L 2N3725UB 2N3726 2N3727 2N3735
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