配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2N6537
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
-
23+
-
微芯专营优势产品

2N6537
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
884000
YXYBDT台湾
TO-66
2024+
-
代理台湾YXYBDT.现货

2N6537
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：竺小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-66
25+
-
国产品牌，替代进口

2N6537 *R
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
190
MSC
-
公司现货,只做原装！

2N6537 *R
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：13428937514
地址：门市: 新华强广场2楼公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
190
MSC
-
公司现货,只做原装！

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
制造商
New Jersey Semi.
功能描述

2N6537 技术参数

2N6520TA 功能描述:TRANS PNP 350V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92 标准包装:1 2N6520RLRAG 功能描述:TRANS PNP 350V 0.5A TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1 2N6520RLRA 功能描述:TRANS PNP 350V 0.5A TO92 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:10 2N6520BU 功能描述:TRANS PNP 350V 0.5A TO-92 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:20 @ 50mA，10V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:200MHz 安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92-3 标准包装:1,000 2N6520 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包装:散装零件状态:在售晶体管类型:PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:500mA 电压 - 集射极击穿（最大值）:350V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）:1V @ 5mA，50mA 电流 - 集电极截止（最大值）:50nA（ICBO）不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:30 @ 30mA，10V 功率 - 最大值:625mW 频率 - 跃迁:40MHz 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）供应商器件封装:TO-92 标准包装:2,500 2N6648 2N6649 2N6650 2N6660 2N6660-2 2N6660-E3 2N6660JTVP02 2N6660JTX02 2N6660JTXL02 2N6660JTXP02 2N6660JTXV02 2N6661 2N6661-2 2N6661-E3 2N6661JAN02 2N6661JTVP02 2N6661JTX02 2N6661JTXL02