配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

2N688
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
IR/MOTO
TO-48
22+
-
全新原装现货供应

2N688
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
原厂封装
最新批号
-
一级代理，原装正品现货！！

2N688
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：刘小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
TO-48，TO-208AA
25+
-
国产品牌，替代进口

2N688A
深圳市科思奇电子科技有限公司
深圳市科思奇电子科技有限公司
联系人：林小姐/欧阳先生
电话：0755-832450508278593918923762408微信同号
地址：深圳市福田区上步工业区501栋1109-1110室
资质：营业执照
6000
IR
原厂原装
23+
-
只做原装正品

2N688
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
638850
IR
TO-48
最新批次
-
OEM渠道，价格超越代理！

2N688
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售部经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北上步工业区8栋829/北京市海淀区中关村中银街168-9号/香港办事处:香港大理石
资质：营业执照
256
Central Semiconductor
标准封装
23+
-
真实的资源竭诚服务您！

2N688
深圳市兴合盛科技发展有限公司
深圳市兴合盛科技发展有限公司
联系人：销售经理：马先生
电话：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田区华强北街道华航社区中航路都会B座10012M
资质：营业执照
26550
IR
正品封装
23+
-
正规商现货供应

2N6886
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：何芝
电话：19129491934(手机优先微信同号)0755-82865099
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
4810
ON
TO-3
13+
-
原装正品现货库存

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1

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功能描述
SCR Thyristor - SCR
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
最大转折电流 IBO
480 A
额定重复关闭状态电压 VDRM
600 V
关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）
5 uA
开启状态 RMS 电流 (It RMS)
正向电压下降
1.6 V
栅触发电压 (Vgt)
1.3 V
最大栅极峰值反向电压
5 V
栅触发电流 (Igt)
35 mA
保持电流（Ih 最大值）
75 mA
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220
封装
Tube

2N688 技术参数

2N6849U 功能描述:MOSFET P-CH 100V 18-LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:300 毫欧 @ 4.1A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:18-BQFN 裸露焊盘供应商器件封装:18-ULCC（9.14x7.49）标准包装:1 2N6849 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:320 毫欧 @ 6.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:34.8nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AF 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:1 2N6804 功能描述:MOSFET P-CH 100V TO-204AA TO-3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:360 毫欧 @ 11A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:75W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-204AA，TO-3 供应商器件封装:TO-204AA（TO-3）标准包装:1 2N6802U 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18LCC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:18-BQFN 裸露焊盘供应商器件封装:18-ULCC（9.14x7.49）标准包装:1 2N6802 功能描述:MOSFET N-CH 500V TO-205AF TO-39 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:500V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.5 欧姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:4.46nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:800mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-205AD，TO-39-3 金属罐供应商器件封装:TO-39 标准包装:1 2N6989 2N6989U 2N6989UTX 2N699 2N6990 2N7000 2N7000,126 2N7000_D26Z 2N7000_D74Z 2N7000_D75Z 2N7000BU 2N7000-D26Z 2N7000-D74Z 2N7000-D75Z 2N7000G 2N7000-G 2N7000RLRA 2N7000RLRAG