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说明
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2SC5096-R(M9)
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
18652
TOSHIBA
SOT523
2024+
-
代理商库房现货

2SC5096-R
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
8000
AD562AKD
SOT523
21+
-
ALTERA.XILINX代理指定授权分...

2SC5096-R/M9
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
TOSHIBA
SOT-423
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！！！

2SC5096-R(TE85L)
深圳市时兴宇电子有限公司
深圳市时兴宇电子有限公司
联系人：彭先生
电话：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田区华强北都会大厦A座19楼19G
9987
TOSHIBA
SOT23/SOT323
0706+
-
绝对公司原装现货

2SC5096-R
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
5000
TOSHIBA
SOT-423
-
假一罚十，百分百原装正品

2SC5096-R/M9
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
30000
TOSHIBA
SOT-423
2c040
-
全新原装现货

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2SC5096-R 技术参数

2SC5096-O,LF 功能描述:TRANS RF NPN 10V 1GHZ SSM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:停产晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:10GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.4dB @ 1GHz 增益:- 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 7mA，6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SSM 标准包装:1 2SC5095-R(TE85L,F) 功能描述:TRANSISTOR NPN MM-USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:10GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 2GHz 增益:13dB ~ 7.5dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:50 @ 7mA，6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70 标准包装:1 2SC5095-O(TE85L,F) 功能描述:TRANSISTOR NPN MM-USM 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:10V 频率 - 跃迁:10GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.8dB @ 2GHz 增益:13dB ~ 7dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 7mA，6V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:15mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-70，SOT-323 供应商器件封装:SC-70 标准包装:1 2SC5088-O(TE85L,F) 功能描述:TRANS RF NPN 12V 500MHZ USQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1dB @ 500MHz 增益:18dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:80 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-82A，SOT-343 供应商器件封装:USQ 标准包装:1 2SC5087YTE85LF 功能描述:TRANS RF NPN 7GHZ 80MA SMQ 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效晶体管类型:NPN 电压 - 集射极击穿（最大值）:12V 频率 - 跃迁:7GHz 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）:1.1dB @ 1GHz 增益:13dB 功率 - 最大值:150mW 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）:120 @ 20mA，10V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:80mA 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-61AA 供应商器件封装:SMQ 标准包装:1 2SC5161TLB 2SC5171(LBS2MATQ,M 2SC5171(ONK,Q,M) 2SC5171,MATUDQ(J 2SC5171,ONKQ(J 2SC5171,Q(J 2SC5172(YAZK,Q,M) 2SC5200 2SC5200N(S1,E,S) 2SC5200-O(Q) 2SC5200OTU 2SC5200RTU 2SC5201(T6MURATAFM 2SC5201(TE6,F,M) 2SC5201,F(J 2SC5201,T6F(J 2SC5201,T6MURAF(J 2SC5226A-4-TL-E

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