2SK2615(TE12L.F)

配单专家企业名单

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说明
操作

2SK2615(TE12L.F)
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
30
TOSHIBA
con
24+
-
场效应管

2SK2615(TE12L.F)
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
30
TOSHIBA
con
24+
-
场效应管

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2SK2615(TE12L.F) 技术参数

2SK2593JQL 功能描述:JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:55V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:30mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:5V @ 10μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.5pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F1 功率 - 最大值:125mW 标准包装:1 2SK2593GQL 功能描述:JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:55V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:30mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:5V @ 10μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.5pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F3 功率 - 最大值:125mW 标准包装:1 2SK2544(F) 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:6A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:1300pF @ 10V 功率 - 最大值:80W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 供应商器件封装:TO-220AB 标准包装:50 2SK2507(F) 功能描述:MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:50V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:25A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:46 毫欧 @ 12A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:900pF @ 10V 功率 - 最大值:30W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220NIS 标准包装:50 2SK2504TL 功能描述:MOSFET N-CH 100V 5A DPAK 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:逻辑电平栅极，4V 驱动漏源极电压（Vdss）:100V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:220 毫欧 @ 2.5A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:520pF @ 10V 功率 - 最大值:20W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 供应商器件封装:CPT3 标准包装:1 2SK2744(F) 2SK275100L 2SK2803 2SK2845(TE16L1,Q) 2SK2847(F) 2SK2848 2SK2854(TE12L,F) 2SK2866(F) 2SK2883(TE24L,Q) 2SK2887TL 2SK2916(F) 2SK2917(F) 2SK2943 2SK2962(T6CANO,A,F 2SK2962(T6CANO,F,M 2SK2962(TE6,F,M) 2SK2962,F(J 2SK2962,T6F(J