配单专家企业名单

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2SK2688-01L,S
北京首天伟业科技有限公司
北京首天伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E
资质：营业执照
10000
富士
TO-262/263
15+
-
原装正品，假一罚十

2SK2688-01
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
20000
FUJU
TO
14+
-
全新原装，进口现货，准时交货，量大优惠

2SK2688
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
5000
TO-252
04+
-
假一罚十，百分百原装正品

2SK2688-01LS
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
4000
原厂品牌
标准封装
09/10+
-
全新原装100%正品保证质量

2SK2688-01S
深圳市深美诺电子科技有限公司
深圳市深美诺电子科技有限公司
联系人：李燕兵
电话：82525918
地址：深圳市福田区华强北路上步工业区101栋5楼517-532室
资质：营业执照
6000
F
TO263
22+
-
全新原装现货供应

2SK2688
深圳市奥伟斯科技有限公司
深圳市奥伟斯科技有限公司
联系人：江小姐 ADS触摸芯片一级代理
电话：0755-83254770
地址：深南中路3006号佳和华强大厦A座7楼整层
资质：营业执照
30000
TOSHIBA
TO-251
18+
-
长期供应

2SK2688-01LS
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
联系人：赖先生
电话：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦A座27楼2702号
资质：营业执照
17895
FUJI
TO-251/252
2025+
-
代理商库房现货

2SK2688
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
8650000
FUJU
TO-263
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

2SK2688-01L
深圳市华金瑞电子有限公司
深圳市华金瑞电子有限公司
联系人：刘
电话：15323844149
地址：中航路华强电子世界三店佳和电子市场
84
FUJI
TO-251原包
00
-
100%原装！优势现货库存

2SK2688
深圳市柏新电子科技有限公司
深圳市柏新电子科技有限公司
联系人：林小姐//方先生
电话：0755-88377780010-58488628
地址：深圳市福田区深南中路2070号电子科技大厦C座27E2 , 北京办事处：北京海春路中发大厦60淀区知
120
RENESAS
TO263
2012+
-
只做原装正品

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2SK2688 技术参数

2SK2632LS 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:800V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.8 欧姆 @ 1.3A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:550pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FI（LS）标准包装:100 2SK2625ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:4.4A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2 欧姆 @ 2.5A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:700pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FI（LS）标准包装:100 2SK2624ALS 功能描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A TO-220FI 制造商:sanyo semiconductor (u.s.a) corporation 系列:- 包装:散装零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:600V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.6 欧姆 @ 1.8A，15V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:15nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:550pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作温度:150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-3 整包供应商器件封装:TO-220FI（LS）标准包装:100 2SK2593JQL 功能描述:JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:55V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:30mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:5V @ 10μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.5pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F1 功率 - 最大值:125mW 标准包装:1 2SK2593GQL 功能描述:JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI-3 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:N 沟道电压 - 击穿（V（BR）GSS）:- 漏源极电压（Vdss）:55V 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）:1mA @ 10V 漏极电流（Id） - 最大值:30mA 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）:5V @ 10μA 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6.5pF @ 10V 电阻 - RDS（开）:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-89，SOT-490 供应商器件封装:SS迷你型3-F3 功率 - 最大值:125mW 标准包装:1 2SK2845(TE16L1,Q) 2SK2847(F) 2SK2848 2SK2854(TE12L,F) 2SK2866(F) 2SK2883(TE24L,Q) 2SK2887TL 2SK2916(F) 2SK2917(F) 2SK2943 2SK2962(T6CANO,A,F 2SK2962(T6CANO,F,M 2SK2962(TE6,F,M) 2SK2962,F(J 2SK2962,T6F(J 2SK2962,T6F(M 2SK2962,T6WNLF(J 2SK2962,T6WNLF(M

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