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2SK3565(Q)

配单专家企业名单
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  • 2SK3565(Q)
    2SK3565(Q)

    2SK3565(Q)

  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
    深圳市海天鸿电子科技有限公司

    联系人:彭小姐、刘先生、李小姐

    电话:0755-82552857-80913528851884(周日专线)

    地址:深圳市福田区中航路中航北苑大厦A座22A3号

    资质:营业执照

  • 6500

  • TOSHIBA

  • 原厂原装

  • 1708+

  • -
  • 只做原装 一手货源,代理商分销库存

  • 2SK3565(Q)
    2SK3565(Q)

    2SK3565(Q)

  • 北京首天伟业科技有限公司
    北京首天伟业科技有限公司

    联系人:刘先生

    电话:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 广东省深圳市福田区华强北街道电子科技大厦C座23E

    资质:营业执照

  • 5000

  • TOSHIBA

  • 2010年

  • -
  • 假一罚十,百分百原装正品

  • 1/1页 40条/页 共4条 
  • 1
2SK3565(Q) PDF下载 图文及资料仅供参考,以实际PDF为准
  • 功能描述
  • MOSFET N-Ch 900V 5A Rdson 2.5 Ohm
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶体管极性
  • N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
  • 650 V
  • 闸/源击穿电压
  • 25 V
  • 漏极连续电流
  • 130 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作温度
  • 安装风格
  • Through Hole
  • 封装 / 箱体
  • Max247
  • 封装
  • Tube
2SK3565(Q) 技术参数
  • 2SK3564(STA4,Q,M) 功能描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO-220SIS 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):900V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):3A(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):4.3 欧姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):700pF @ 25V 功率 - 最大值:40W 工作温度:150°C(TJ) 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商器件封装:TO-220SIS 标准包装:50 2SK3557-7-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:5V 额定电流:50mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1mA 功率 - 输出:- 电压 - 额定:15V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 2SK3557-6-TB-E 功能描述:FET RF 15V 1KHZ 3CP 制造商:on semiconductor 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:1kHz 增益:- 电压 - 测试:5V 额定电流:50mA 噪声系数:1dB 电流 - 测试:1mA 功率 - 输出:200mW 电压 - 额定:15V 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供应商器件封装:3-CP 标准包装:1 2SK3547G0L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 欧姆 @ 10mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F2 标准包装:1 2SK354700L 功能描述:MOSFET N-CH 50V .1A SSS-MINI-3P 制造商:panasonic electronic components 系列:- 包装:剪切带(CT) 零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):50V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100mA(Ta) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):12 欧姆 @ 10mA,4V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 1μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):12pF @ 3V 功率 - 最大值:100mW 工作温度:125°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:SOT-723 供应商器件封装:SSS迷你型3-F1 标准包装:1 2SK3670,F(J 2SK3670,F(M 2SK3702 2SK3703 2SK3703-1E 2SK3704 2SK3707 2SK3707-1E 2SK3708 2SK3709 2SK3710 2SK3711 2SK3720-5-TB-E 2SK3737-5-TL-E 2SK3738-TL-E 2SK3745LS 2SK3745LS-1E 2SK3746
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