APT50GS60BRG全国供应商 APT50GS60BRG资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

配单专家企业名单

型号
供应商
数量
厂商
封装
批号
价格
说明
操作

APT50GS60BRG
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
TO-247-3
23+
-
微芯专营优势产品

APT50GS60BRG
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
APTMICROSEMI
TO-247B
22+
-
十年配单，只做原装

APT50GS60BRGMI
深圳市佳斯泰科技有限公司
深圳市佳斯泰科技有限公司
联系人：廖小姐
电话：13410012158
地址：广东省深圳市福田区华强北上航大厦西座四层
5000
Microsemi
TO-247
11+
-
100%进口原装正品，只做原装

APT50GS60BRG
中山市翔美达电子科技有限公司
中山市翔美达电子科技有限公司
联系人：朱小姐
电话：155020706551802218672813590991023
地址：火炬开发区中山港大道99号金盛广场1栋613室
9688
TI
NA
19+
-
公司全新原装正品,QQ153058080...

APT50GS60BRG
深圳市一线半导体有限公司
深圳市一线半导体有限公司
联系人：谢小姐/钟先生/陈先生/陈小姐
电话：0755-88608801多线17727932378
地址：深圳市福田区华强北华强花园B9F
9600
TO-247 [B]
APT(MICROSEMI)
17+
-
原装正品。优势供应

APT50GS60BRG
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

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1

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功能描述
IGBT 600V 93A 415W TO247
RoHS
是
类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
系列
Thunderbolt IGBT®
标准包装
30
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
1200V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
200A
功率 - 最大
830W
输入类型
标准
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商设备封装
PLUS247?-3
包装
管件

APT50GS60BRG 技术参数

APT50GS60BRDQ2G 功能描述:IGBT NPT 600V 93A 415W Through Hole TO-247 [B] 制造商:microsemi corporation 系列:Thunderbolt IGBT? 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:93A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):195A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.15V @ 15V，50A 功率 - 最大值:415W 开关能量:755μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/225ns 测试条件:400V，40A，4.7 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:25ns 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 [B] 标准包装:1 APT50GS60BRDLG 功能描述:IGBT 600V 93A 415W TO247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:在售 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:93A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):195A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.15V @ 15V，50A 功率 - 最大值:415W 开关能量:755μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:235nC 25°C 时 Td（开/关）值:16ns/225ns 测试条件:400V，50A，4.7 欧姆，15V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:TO-247-3 供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT50GR120L 功能描述:IGBT NPT 1200V 117A 694W Through Hole TO-264 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:117A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 功率 - 最大值:694W 开关能量:2.14mJ（开），1.48mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:445nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/237ns 测试条件:600V，50A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 标准包装:1 APT50GR120JD30 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 84A 417W Chassis Mount SOT-227 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:84A 功率 - 最大值:417W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 电流 - 集电极截止（最大值）:1.1mA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:5.55nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SOT-227-4 供应商器件封装:SOT-227 标准包装:1 APT50GR120B2 功能描述:IGBT NPT 1200V 117A 694W Through Hole TO-247 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:NPT 电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:117A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):200A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:3.2V @ 15V，50A 功率 - 最大值:694W 开关能量:2.14mJ（开），1.48mJ（关）输入类型:标准栅极电荷:445nC 25°C 时 Td（开/关）值:28ns/237ns 测试条件:600V，50A，4.3 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-247 标准包装:1 APT50M38JLL APT50M50JLL APT50M65B2FLLG APT50M65B2LLG APT50M65JFLL APT50M65JLL APT50M65LFLLG APT50M65LLLG APT50M75B2LLG APT50M75JLLU2 APT50M75JLLU3 APT50MC120JCU2 APT50N60JCCU2 APT50N60JCU2 APT51F50J APT51M50J APT53F80J APT53N60BC6