APT75GN60B2DQ3

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说明
操作

APT75GN60B2DQ3G
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
Microsemi
TO264
最新批号
-
代理此型号，原装正品现货！

APT75GN60B2DQ3
无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司
联系人：竺小姐
电话：15961889150
地址：江苏省无锡市新区新梅路68号
资质：营业执照
1000
isc/固电半导体
PLUS247,T-Max
25+
-
国产品牌，替代进口

APT75GN60B2DQ3G
深圳市琦凌凯科技有限公司
深圳市琦凌凯科技有限公司
联系人：彭先生
电话：1331648214918276240346
地址：深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技园4栋中10层10A28
资质：营业执照
6000
Microsemi/美高森美
TO264
22+
-
十年配单，只做原装

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APT75GN60B2DQ3 技术参数

APT75GN120LG 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole TO-264 [L] 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):225A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 功率 - 最大值:833W 开关能量:8620μJ（开），11400μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:425nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/620ns 测试条件:800V，75A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-264-3，TO-264AA 安装类型:通孔供应商器件封装:TO-264 [L] 标准包装:1 APT75GN120JDQ3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:停产 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:124A 功率 - 最大值:379W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:200μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:30 APT75GN120JDQ3 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:124A 功率 - 最大值:379W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:200μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:1 APT75GN120J 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 124A 379W Chassis Mount ISOTOP? 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:单一电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:124A 功率 - 最大值:379W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 电流 - 集电极截止（最大值）:100μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.8nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:ISOTOP 供应商器件封装:ISOTOP? 标准包装:30 APT75GN120B2G 功能描述:IGBT Trench Field Stop 1200V 200A 833W Through Hole 制造商:microsemi corporation 系列:- 包装:管件零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:沟槽型场截止电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:200A 脉冲电流 - 集电极 (Icm):225A 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，75A 功率 - 最大值:833W 开关能量:8045μJ（开），7640μJ（关）输入类型:标准栅极电荷:425nC 25°C 时 Td（开/关）值:60ns/620ns 测试条件:800V，75A，1 欧姆，15V 反向恢复时间（trr）:- 封装/外壳:TO-247-3 变式安装类型:通孔供应商器件封装:* 标准包装:1 APT75M50B2 APT75M50L APT77N60BC6 APT77N60JC3 APT77N60SC6 APT7F100B APT7F120B APT7F80K APT7M120B APT7M120S APT8014JLL APT8018JN APT8020B2LLG APT8020JLL APT8020LFLLG APT8024B2LLG APT8024JLL APT8024LFLLG