APTGL180A1202G全国供应商 APTGL180A1202G资料|PDF Datasheet|价格【Microsemi 美高森美】

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封装
批号
价格
说明
操作

APTGL180A1202G
标准国际(香港)有限公司
标准国际(香港)有限公司
联系人：朱小姐
电话：83617149
地址：新华强广场2楼Q2B036室?|?公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
资质：营业执照
10
Microsemi Power Products
2016+
-
公司现货！只做原装！

APTGL180A1202G
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
资质：营业执照
0
原厂封装
10000
16+/17+
-
只做原装正品欢迎洽谈电话010-62...

APTGL180A1202G
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原装现货

APTGL180A1202G
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
10
MICROSEMI
主营优势
19+
-
100%原装正品★终端免费供样★

APTGL180A1202G
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
深圳市鸿昌盛电子科技有限公司销售一部
联系人：朱小姐
电话：13428937514
地址：深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813
资质：营业执照
2360
Microsemi
模块
14+
-
全新原装现货，

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1

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功能描述
POWER MOD IGBT4 PHASE LEG SP2
RoHS
是
类别
半导体模块 >> IGBT
系列
-
标准包装
10
系列
GenX3™
IGBT 类型
PT
配置
单一
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
600V
Vge, Ic时的最大Vce（开）
1.4V @ 15V，100A
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
430A
电流 - 集电极截止（最大）
100µA
Vce 时的输入电容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
安装类型
底座安装
封装/外壳
SOT-227-4，miniBLOC
供应商设备封装
SOT-227B

APTGL180A1202G 技术参数

APTGL120TDU120TPG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Triple, Dual - Common Source 1200V 140A 517W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三，双 - 共源电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:517W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:模块供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGL120TA120TPG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase 1200V 140A 517W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:有效 IGBT 类型:沟槽型场截止配置:三相电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:140A 功率 - 最大值:517W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.15V @ 15V，100A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:6.2nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGFQ25H120T2G 功能描述:IGBT Module NPT and Fieldstop Full Bridge 1200V 40A 227W Through Hole SP2 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 型和场截止型配置:全桥电压 - 集射极击穿（最大值）:1200V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:40A 功率 - 最大值:227W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.1V @ 15V，25A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:2.02nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:是安装类型:通孔封装/外壳:SP2 供应商器件封装:SP2 标准包装:1 APTGF90TDU60PG 功能描述:IGBT Module NPT Triple, Dual - Common Source 600V 110A 416W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:过期 IGBT 类型:NPT 配置:三，双 - 共源电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGF90TA60PG 功能描述:IGBT Module NPT Three Phase 600V 110A 416W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件状态:Not For New Designs IGBT 类型:NPT 配置:三相电压 - 集射极击穿（最大值）:600V 电流 - 集电极（Ic）（最大值）:110A 功率 - 最大值:416W 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）:2.5V @ 15V，90A 电流 - 集电极截止（最大值）:250μA 不同?Vce 时的输入电容（Cies）:4.3nF @ 25V 输入:标准 NTC 热敏电阻:无安装类型:底座安装封装/外壳:SP6 供应商器件封装:SP6-P 标准包装:1 APTGL475SK120D3G APTGL475U120D4G APTGL475U120DAG APTGL60DDA120T3G APTGL60DH120T3G APTGL60DSK120T3G APTGL60H120T3G APTGL60TL120T3G APTGL700DA120D3G APTGL700SK120D3G APTGL700U120D4G APTGL90A120T1G APTGL90DA120T1G APTGL90DDA120T3G APTGL90DH120T3G APTGL90DSK120T3G APTGL90H120T3G APTGL90SK120T1G

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