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AUIRF9952QTR
现货
集好芯城
集好芯城
联系人：张育豪 13360528695
电话：0755-23607487
地址：深圳市福田区华富路1006号航都大厦11楼一层
资质：营业执照
8000
IR
SOP-8
22+
-
原厂原装现货

AUIRF9952QTRPBF
北京元坤伟业科技有限公司
北京元坤伟业科技有限公司
联系人：刘先生
电话：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
资质：营业执照
6000
有30000个IR
SOP-8
15+
-
原装正品，假一罚十

AUIRF9952QTR
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
INFINEON
原厂封装
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

AUIRF9952QTR.
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
联系人：汪小姐
电话：19240207240
地址：华强北都会轩4507
资质：营业执照
30000
IR
SOP-8
24+
-
原装正品，可含税供应。品质保障

AUIRF9952QTR
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
IRC
SO8
15+
-
原装正品，价格优势！

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1

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功能描述
MOSFET AUTO 30V 1 N-CH HEXFET 100mOhms
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作温度
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
Max247
封装
Tube

AUIRF9952QTR 技术参数

AUIRF9952Q 功能描述:MOSFET N/P-CH 30V 3.5A/2.3A 8SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:过期 FET 类型:N 和 P 沟道 FET 功能:逻辑电平门漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:3.5A，2.3A 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:100 毫欧 @ 2.2A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:190pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:95 AUIRF9540N 功能描述:MOSFET P-CH 100V 23A TO-220AB 制造商:infineon technologies 系列:* 零件状态:在售标准包装:1,000 AUIRF8739L2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 545A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:57A（Ta），545A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:0.6 毫欧 @ 195A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:562nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:17890pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 L8 供应商器件封装:DIRECTFET L8 标准包装:4,000 AUIRF8736M2TR 功能描述:MOSFET N-CH 40V 137A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:27A（Ta），137A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.9 毫欧 @ 85A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:204nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:6867pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:DirectFET? 等距 M4 供应商器件封装:DIRECTFET? M4 标准包装:4,800 AUIRF7805QTR 功能描述:MOSFET N CH 30V 13A 8-SO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:13A（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:11 毫欧 @ 7A，4.5V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:31nC @ 5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:- 功率 - 最大值:2.5W 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装:8-SO 标准包装:4,000 AUIRFL014N AUIRFL014NTR AUIRFL024N AUIRFL024NTR AUIRFN7107TR AUIRFN7110TR AUIRFN8401TR AUIRFN8403TR AUIRFN8405TR AUIRFN8458TR AUIRFN8459TR AUIRFP064N AUIRFP1405 AUIRFP2602 AUIRFP2907 AUIRFP2907Z AUIRFP4004 AUIRFP4110

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