AUIRFS8409TRL全国供应商 AUIRFS8409TRL资料|PDF Datasheet|价格【Infineon 英飞凌】

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AUIRFS8409TRL
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：王
电话：18724450645
地址：中国上海
328278
INFINEON
con
24+
-
优势库存，原装正品

AUIRFS8409TRL
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
328278
INFINEON
con
24+
-

AUIRFS8409TRL
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
328278
INFINEON
con
24+
-

AUIRFS8409TRL
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：深圳市福田区深南中路3031号汉国中心3204室
资质：营业执照
328278
INFINEON
con
24+
-
优势库存，原装正品

AUIRFS8409TRL
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
328278
INFINEON
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

AUIRFS8409TRL
深圳市毅创辉电子科技有限公司
深圳市毅创辉电子科技有限公司
联系人：雷春艳
电话：19129493934（手机优先微信同号）0755-83266697
地址：深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室
资质：营业执照
44350
IR
TO-263
13+
-
全新原装现货

AUIRFS8409TRL
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
深圳市澳亿芯电子科技有限公司
联系人：李先生
电话：13760200702
地址：深圳市龙岗区坂田街道五和大道山海商业广场C栋706
资质：营业执照
1700
IR
TO-263
假一赔十！！
-
绝对原装现货！

AUIRFS8409TRL
深圳市华芯盛世科技有限公司
深圳市华芯盛世科技有限公司
联系人：唐先生
电话：0755-8322569219129381337（微信同号）
地址：广东省深圳市福田区上步工业区201栋316室。
865000
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TO-263
最新批号
-
一级代理.原装特价现货！

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制造商
International Rectifier
功能描述
AUTOMOTIVE G12.7 MOSFET 40VN - Tape and Reel
制造商
International Rectifier
功能描述
T&R / Automotive G12.7 MOSFET 40VN

AUIRFS8409TRL 技术参数

AUIRFS8409-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK-7 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:240A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:0.75 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:460nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13975pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:375W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:800 AUIRFS8407-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:带卷（TR）零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:240A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7437pF @ 25V 功率 - 最大值:231W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:D2PAK（7-Lead）标准包装:800 AUIRFS8407-7P 功能描述:MOSFET N-CH 40V 240A AUTO 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:240A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7437pF @ 25V 功率 - 最大值:231W 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-7，D2Pak（6 引线+接片）供应商器件封装:D2PAK-7 标准包装:50 AUIRFS8407 功能描述:MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:195A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:1.8 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:225nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:7330pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:230W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFS8405 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包装:管件零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET (Metal Oxide) 漏源极电压（Vdss）:40V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:2.3 毫欧 @ 100A，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:161nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:5193pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:163W (Tc) 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB 供应商器件封装:D2PAK 标准包装:50 AUIRFU1010Z AUIRFU3607 AUIRFU4104 AUIRFU4292 AUIRFU540Z AUIRFU8401 AUIRFU8403 AUIRFU8405 AUIRFZ24NS AUIRFZ24NSTRL AUIRFZ24NSTRR AUIRFZ34N AUIRFZ44N AUIRFZ44NS AUIRFZ44VZS AUIRFZ44VZSTRL AUIRFZ44Z AUIRFZ44ZS

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