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BZX55-C51

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BZX55-C51
深圳市钧凌科技有限公司
深圳市钧凌科技有限公司
联系人：陈小姐
电话：18129868172
地址：华强北街道上步工业区304栋西座509
12000
PHILIPS/飞利浦
SMD
25+
-
原装现货

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制造商
未知厂家
制造商全称
未知厂家
功能描述
ZENER DIODES

BZX55-C51 技术参数

BZX55C51 功能描述:Zener Diode 51V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:51V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:125 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:100nA @ 38V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:1,000 BZX55C4V7-TR 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带卷（TR）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55C4V7-TAP 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±5% Through Hole DO-35 制造商:vishay semiconductor diodes division 系列:汽车级，AEC-Q101 包装:带盒（TB）零件状态:有效电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±5% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.5V @ 200mA 工作温度:-65°C ~ 175°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:10,000 BZX55C4V7_T50R 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带卷（TR）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX55C4V7_T50A 功能描述:Zener Diode 4.7V 500mW ±6% Through Hole DO-35 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包装:带盒（TB）零件状态:过期电压 - 齐纳（标称值）（Vz）:4.7V 容差:±6% 功率 - 最大值:500mW 阻抗（最大值）（Zzt）:60 欧姆不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:500nA @ 1V 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.3V @ 100mA 工作温度:-65°C ~ 200°C 安装类型:通孔封装/外壳:DO-204AH，DO-35，轴向供应商器件封装:DO-35 标准包装:5,000 BZX55C56-TAP BZX55C56-TR BZX55C5V1 BZX55C5V1 A0G BZX55C5V1_T50A BZX55C5V1_T50R BZX55C5V1-TAP BZX55C5V1-TR BZX55C5V6 BZX55C5V6 A0G BZX55C5V6_T26A BZX55C5V6_T50A BZX55C5V6_T50R BZX55C5V6-TAP BZX55C5V6-TR BZX55C62 A0G BZX55C62-TAP BZX55C62-TR