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IS63WV1288DBLL-10TLI/ISSI

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IS63WV1288DBLL-10TLI/ISSI 技术参数

IS63WV1288DBLL-10TLI 功能描述:静态随机存取存储器 1M (128Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS63WV1288DBLL-10HLI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 1Mb (128Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS63WV1288DBLL-10HLI 功能描述:静态随机存取存储器 1Mb (128Kx8) 10ns Async 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS63WV1024BLL-12TLI-TR 功能描述:静态随机存取存储器 1Mb 128Kx8 12ns/3.3V Async 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS63WV1024BLL-12TLI 功能描述:静态随机存取存储器 1Mb 128Kx8 12ns/3.3V Async 静态随机存取存储器 3.3v RoHS:否制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray IS64LF12832EC-7.5TQLA3 IS64LF12832EC-7.5TQLA3-TR IS64LF12836A-7.5B3LA3 IS64LF12836A-7.5B3LA3-TR IS64LF12836EC-7.5B3LA3 IS64LF12836EC-7.5B3LA3-TR IS64LF204818B-7.5TQLA3 IS64LF204818B-7.5TQLA3-TR IS64LF25636A-7.5B3LA3 IS64LF25636A-7.5B3LA3-TR IS64LF25636A-7.5TQLA3 IS64LF25636A-7.5TQLA3-TR IS64LPS102436B-166B2LA3 IS64LPS102436B-166B2LA3-TR IS64LPS102436B-166B3LA3 IS64LPS102436B-166B3LA3-TR IS64LPS102436B-166TQLA3 IS64LPS102436B-166TQLA3-TR