JANTX1N6475全国供应商【买卖IC网】JANTX1N6475资料|PDF Datasheet|价格 Microsemi

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JANTX1N6475
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：张
电话：18724450645
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼5层505室
资质：营业执照
0
SEMTECH
con
24+
-
电子元件

JANTX1N6475
深圳市芯脉实业有限公司
深圳市芯脉实业有限公司
联系人：周小姐/高先生/曹先生
电话：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龙岗区坂田街道南坑社区雅宝路1号星河WORLDA2203A室
206916
Microchip Technology
最新批次
-
全球渠道、原厂正品、信誉保障、闪电发货

JANTX1N6475
深圳市思诺康科技有限公司
深圳市思诺康科技有限公司
联系人：张小姐/Vivianvi
电话：0755-83286481
地址：坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
9900
Microchip Technology
G
23+
-
微芯专营优势产品

JANTX1N6475
北京天阳诚业科贸有限公司
北京天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪先生
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
0
SEMTECH
con
24+
-
电子元件

JANTX1N6475
北京京华特科技有限公司
北京京华特科技有限公司
联系人：张小姐/韩先生
电话：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝阳区建国门外大街9号楼603室
1
MICROCHIP
N/A ㊣品
N/A 原装进口
-
代理渠道可追溯现货库存F

JANTX1N6475
科创特电子（香港）有限公司
科创特电子（香港）有限公司
联系人：柯
电话：0755-83014603
地址：深圳市福田区深南中路3006号佳和大厦B座907
250
MICROCHIP TECHNOLOGY
价格优势
2238
-
全新原装渠道现货

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
Diode TVS Single Uni-Dir 40.3V 1.5KW 2-Pin Case G
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
TVS SGL UNI-DIR 40.3V 1.5KW 2PIN G - Bulk
制造商
Microsemi
功能描述
Diode TVS Single Uni-Dir 40.3V 1.5KW 2-Pin Case G

JANTX1N6475 技术参数

JANTX1N6474US 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM GSQMELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/552 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:30.5V 电压 - 击穿（最小值）:33V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:181A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，G 供应商器件封装:G-MELF（D-5C）标准包装:1 JANTX1N6474 功能描述:TVS DIODE 30.5VWM GPKG AXIAL 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/552 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:30.5V 电压 - 击穿（最小值）:33V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:47.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:181A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 JANTX1N6473US 功能描述:TVS DIODE 24VWM 41.4VC GSQMELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/552 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:24V 电压 - 击穿（最小值）:27V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:41.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:207A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，G 供应商器件封装:G-MELF（D-5C）标准包装:1 JANTX1N6473 功能描述:TVS DIODE 24VWM 41.4VC GPKG AXL 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/552 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:24V 电压 - 击穿（最小值）:27V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:41.4V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:207A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:通孔封装/外壳:G，轴向供应商器件封装:轴向标准包装:1 JANTX1N6472US 功能描述:TVS DIODE 15VWM 26.5VC GSQMELF 制造商:microsemi ire division 系列:军用，MIL-PRF-19500/552 包装:散装零件状态:在售类型:齐纳单向通道:1 双向通道:- 电压 - 反向关态（典型值）:15V 电压 - 击穿（最小值）:16.4V 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp:26.5V 电流 - 峰值脉冲（10/1000μs）:322A（8/20μs）功率 - 峰值脉冲:1500W（1.5kW）电源线路保护:无应用:通用不同频率时的电容:- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SQ-MELF，G 供应商器件封装:G-MELF（D-5C）标准包装:1 JANTX1N6490 JANTX1N6490US JANTX1N649-1 JANTX1N649UR-1 JANTX1N6508 JANTX1N6509 JANTX1N6510 JANTX1N6511 JANTX1N6620 JANTX1N6620U JANTX1N6620US JANTX1N6621 JANTX1N6621U JANTX1N6621US JANTX1N6622 JANTX1N6622U JANTX1N6622US JANTX1N6623

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