MUSE-M001A9(U880,U8500)摄像头

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MUSE-M001A9(U880,U8500)摄像头技术参数

MURT40040R 功能描述:DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阳极二极管类型:标准型，反极性电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:400A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.35V @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:180ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 50V 安装类型:底座安装封装/外壳:三塔供应商器件封装:三塔标准包装:25 MURT40040 功能描述:DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包装:散装零件状态:有效二极管配置:1 对共阴极二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:400V 电流 - 平均整流（Io）（每二极管）:400A（DC）不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:1.35V @ 200A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:180ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:25μA @ 50V 安装类型:底座安装封装/外壳:三塔供应商器件封装:三塔标准包装:25 MURS320TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 3A SMC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:3A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 3A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:35ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AB，SMC 供应商器件封装:SMC（DO-214AB）工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C 标准包装:1 MURS120TR 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMB 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:200V 电流 - 平均整流（Io）:1A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:900mV @ 1A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:25ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:2μA @ 200V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:表面贴装封装/外壳:DO-214AA，SMB 供应商器件封装:SMB 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:1 MURF860 功能描述:DIODE GEN PURP 600V 8A ITO220AC 制造商:smc diode solutions 系列:- 包装:管件零件状态:有效二极管类型:标准电压 - DC 反向（Vr）（最大值）:600V 电流 - 平均整流（Io）:8A 不同 If 时的电压 - 正向（Vf）:2.2V @ 8A 速度:快速恢复 = 200mA（Io）反向恢复时间（trr）:50ns 不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流:5μA @ 600V 不同?Vr，F 时的电容:- 安装类型:通孔封装/外壳:TO-220-2 绝缘，TO-220AC 供应商器件封装:ITO-220AC 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C 标准包装:50 MUSN825GL MUSN825GY MUSN940GL MUSN940GY MUSN960GY MUSN990GL MUSN990GY MUX08AQ/883C MUX08BQ/883C MUX08EP MUX08EPZ MUX08EQ MUX08FP MUX08FPZ MUX08FQ MUX08FS MUX08FS-REEL MUX08FSZ