NX3020NAKVYL全国供应商 NX3020NAKVYL资料|PDF Datasheet|价格【NXP 恩智浦半导体】

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价格
说明
操作

NX3020NAKVYL
深圳市亿联芯电子科技有限公司
深圳市亿联芯电子科技有限公司
联系人：吴经理
电话：18138401919
地址：深圳市福田区赛格科技园四栋中6楼6K31
69880
NEXPERIA/安世
SOT666
2021+
-
★★正规渠道★原厂正品最新货源现货供应★...

NX3020NAKVYL
北京京北通宇电子元件有限公司
北京京北通宇电子元件有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦505（京北通宇）
资质：营业执照
367418
NEXPERIA
con
24+
-

NX3020NAKVYL
天阳诚业科贸有限公司
天阳诚业科贸有限公司
联系人：洪宝宇
电话：17862669251
地址：北京市海淀区安宁庄西路9号院29号楼金泰富地大厦503
资质：营业执照
367418
NEXPERIA
con
24+
-

NX3020NAKVYL
深圳市德力诚信科技有限公司
深圳市德力诚信科技有限公司
联系人：王小姐
电话：13969210552
地址：上海市静安区恒丰路568号恒汇国际大厦903室
367418
NEXPERIA
con
24+
-
现货常备京北通宇商城可查价格

NX3020NAKVYL MOS(场效应管)
深圳市华芯源电子有限公司
深圳市华芯源电子有限公司
联系人：张小姐
电话：1501927513013823545558
地址：深圳市福田区华强路华强广场D座16层18B
资质：营业执照
240000
NEXPERIA/安世
SOT666
-
授权代理/原厂FAE技术支持

NX3020NAKVYL
深圳市芯驰科技有限公司
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：丁皓鹏
电话：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029号南光捷佳大厦2331
资质：营业执照
10000
PHA
SOT666
15+
-
原装正品，价格优势！

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您是不是要找： NX3020NAKW,115 NX302100 NX302101 NX302102 NX302103 NX302105 NX30H-68P/CA-MD NX30H-68P/CA-MD(61) NX30H-68P/CK-MP

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NX3020NAKVYL 技术参数

NX3020NAKV,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.2A SOT666 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.44nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:375mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SOT-563，SOT-666 供应商器件封装:SOT-666 标准包装:1 NX3020NAKT,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 180MA SC-75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:过期 FET 类型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能:标准漏源极电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180mA（Ta）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）:0.44nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:230mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:SC-75，SOT-416 供应商器件封装:SC-75 标准包装:1 NX3020NAKS,115 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 0.18A 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:2 个 N 沟道（双） FET 功能:逻辑电平门漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:180mA 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.44nC @ 4.5V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 10V 功率 - 最大值:375mW 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供应商器件封装:6-TSSOP 标准包装:1 NX3020NAK,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 200MA TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包装:剪切带（CT）零件状态:在售 FET 类型:N 沟道技术:MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）:30V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）:0.44nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:13pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:300mW（Ta），1.06W（Tc）不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）:4.5 欧姆 @ 100mA，10V 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型:表面贴装供应商器件封装:TO-236AB（SOT23）封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 标准包装:1 NX301118 功能描述:HEATSINK R87-46 BRIDGELX VERO 29 制造商:aavid thermalloy 系列:SynJet? 包装:* 零件状态:有效类型:散热片配套使用产品/相关产品:Bridgelux Vero 29 形状:圆形标准包装:45 NX30H-68P/CK-MP(01) NX30H-68P/CK-MP(61) NX30H-68P/CK-MP(62) NX30H-68P/IDCU-MP NX30H-68P/IDCU-MP(01) NX30H-68P/IDCU-MP(31) NX30H-68P/IDCU-MP(61) NX30H-68P/IDCU-MP(62) NX30P6090UKZ NX30P6093AUKZ NX30TA-15GP NX30TA-15HC NX30TA-15HC(61) NX30TA-15HC(62) NX30TA-15HC1 NX30TA-15HC1(61) NX30TA-15HC1(62) NX30TA-15PAA

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